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通过添加CMP浆体的非离子性界面活性剂 进行ZETA电位·粒径的控制评价

作者:超级管理员时间:2022-04-06 09:58:3657 次浏览

信息摘要:

目的:在半导体制造的CMP (Chemical Mechanical Polishing) 制程中,研磨半导体晶圆或金属面时,经常会使用金属氧化物(二氧化硅粒子、氧化铝粒子)。由于各种重要的因素(pH、添加剂等),二氧化硅粒子和氧化铝粒子的等金属氧化物的粒子分散状态不尽相同,以粒径和ZETA电位作为指标,控制分散状态尤为重要。...

目的:在半导体制造的CMP (Chemical Mechanical Polishing) 制程中,研磨半导体晶圆或金属面时,经常会使用金属氧化物(二氧化硅粒子、氧化铝粒子)。由于各种重要的因素(pH、添加剂等),二氧化硅粒子和氧化铝粒子的等金属氧化物的粒子分散状态不尽相同,以粒径和ZETA电位作为指标,控制分散状态尤为重要。本次,向CMP浆体中添加非离子界面活性剂,测量添加前后ZETA电位和粒径的变化。

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结果:图1为添加非离子界面活性剂前后的粒径分布图。同时显示粒径和ZETA电位。未添加活性剂时,平均粒径为104.2nm,ZETA电位为-34.3mV。添加活性剂后的平均粒径为164.0nm,ZETA电位为-14.7mV。因此添加有无,粒径和ZETA电位不同。这是因为非离子界面活性剂吸附在粒子表面,粒径会根据吸附层而变大。此外可推测,ZETA电位因非离子界面活性剂的吸附,表面电位降低。因此,通过测量粒径和ZETA电位,进行分散评价,其测定值在控制分

散状态时十分重要。




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